負荷スイッチ

GreenFET高性能負荷スイッチは、負荷電流が1Aから9Aの範囲で、0.25Vから25.2Vのハイサイド電源レール制御アプリケーション向けに開発・最適化されています。

独自のMOSFET開発により、すべてのGreenFET負荷スイッチは、広い入力および電源電圧範囲にわたって安定したRDS_ONを実現します。 独自のMOSFET IPと高度なアセンブリ技術を組み合わせたこれらの最先端製品は、0.56mm²～5.04mm²の超小型PCBフットプリントで利用可能で、大電流に対する低熱抵抗を実現します。

ディスクリートFET回路の実装と比較して、GreenFET製品は、高性能nFETまたはpFET構造、高電流処理能力、チャージポンプ、および複数の保護・制御回路を、スペース効率の高いシングル・チャネルおよびデュアル・チャネル製品に統合しています。 これらすべての高度な機能の組み合わせは、BOM（部品表）およびコストの削減に直結するだけでなく、システムの信頼性を高め、基板サイズを縮小します。

すべての低電圧および高電圧GreenFET負荷スイッチは、商用（0 °C～70 °C）、拡張商用（-20 °C～70°C）、産業用（-40 °C～85 °C）、拡張産業用（-40 °C～125 °C）の温度範囲で開発され、特性を評価しています。 ルネサスの負荷スイッチは、非常に低い温度勾配の発生に対応しており、低熱抵抗、STDFN/STQFN RoHS対応パッケージ、およびウェハレベル・チップスケール・パッケージ（WLCSP）を提供しています。