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説明

ISL73040SEHEV4Z評価ボードは、ISL73040SEHローサイドGaNドライバとISL73024SEH 200V GaN FETを使用してハーフブリッジパワーステージを構築する方法を示します。ISL73040SEHは、4.5Vゲートドライブ電圧(VDRV)で動作します。これはゲート電圧が、ISL73024SEHを構成するGaN FETの最大ゲートソース定格を超えることを防止する、内部レギュレータを使用して生成されます。ISL73024SEHは、7.5Aのドレイン電流に対応する200V GaN FETです。

特長

  • ハーフブリッジ構成を駆動するシングルPWM入力
  • 調節可能なデッドタイムコントロール
  • さまざまなインダクタの配線をサポートするインターフェース
  • 高スイッチング周波数において95%を超えるピーク効率
  • イネーブル/ディスエーブル機能

アプリケーション

 
  • フライバックおよびフォワードコンバータ
  • ブーストおよびPFCコンバータ
  • セカンダリ同期FETドライバ
分類 タイトル 日時
マニュアル-開発ツール PDF 1.05 MB
データシート PDF 471 KB
データシート PDF 1.08 MB
レポート PDF 349 KB
レポート PDF 251 KB
5件

ソフトウェア/ツール

ソフトウェアダウンロード

分類 タイトル 日時
PCB設計ファイル ZIP 927 KB
1件

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Radiation Hardened GaN Products and Technology
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