耐放射線性40V電流検出アンプ評価ボード
ISL70100MEV1Z評価ボードは、耐放射線性ISL70100Mの40V電流検出アンプ性能の評価に使用されます。
ルネサス独自のPR40シリコン・オン・インシュレータ(SOI)プロセスを使用して構築されたISL70100Mは、外部検出抵抗を使用して電流を監視し、検出した電圧に比例した電流を出力するトランスコンダクタンスアンプです。...
主要ドキュメント:
概要
説明
ISL70100Mは、ルネサス独自のPR40シリコン・オン・インシュレータ(SOI)プロセスに基づいて構築された耐放射線性40V電流検出アンプです。 このデバイスは、2.7V〜40Vの広い電源範囲を備えています。 入力コモンモード電圧は電源電圧に依存せず、-0.3Vから40.0Vまで拡張されるため、ハイサイドとローサイドの両方のアプリケーションでの使用に最適です。
ISL70100Mは、外付けの検出抵抗を使用して電流を監視し、検出された電圧に比例した電流を出力するトランスコンダクタンスアンプです。 全体の電圧ゲインは、出力からグランドへの単一の抵抗で調整可能です。
このアンプは、オフセット電圧と入力バイアス電流が非常に低いため、高精度センシングアプリケーションに最適です。 500μA/μs のスルーレートを持つ 500kHz の最小帯域幅を備えており、遠隔測定用途での電流フィードバックに役立ちます。 電源がオフになると (V+ = V- = 0V)、検出ピン (RS+、RS-) は高インピーダンスになり、監視対象の回路の高負荷が回避されます。
このデバイスは、プラスチック製の14Ld TSSOPパッケージで供給され、-55°C〜+125°Cの温度範囲で動作します。
特長
ルネサスのRad Tolerant ScreeningおよびQCI Flow(R34TB0004EU)に適合
- 電源範囲: 2.7V～40V
- 入力コモンモード範囲: -0.3V～40V
- トランスコンダクタンス: 2μA/mV (通常)
- ±1%の精度(TA=25°C)
- ±1.5%の精度(TA=-55°C、125°C)
- 電圧オフセット: 10µV (通常)、V+ = 12V
- 単一抵抗による調節可能なゲイン
- 動作温度範囲:-55°C〜+125°C
- NASAの低OUTGAS仕様に適合
- 14 Ld TSSOP、NiPdAu-Agリードフィニッシュ
- TID放射線ロット受入試験(RLAT)(LDR:≤ 10mrad(Si)/s)
- ISL70100M30VZ:30krad(Si)
- ISL70100M50VZ:50krad(Si)
- SEE特性評価
- 43MeV•cm2/mg で V+ = 42V の DSEE なし
製品比較
アプリケーション
- ハイサイドまたはローサイドの電流センシング
- バッテリ監視
- 電源管理
- モータ制御
- コマンド、テレメトリ、および制御システム
ドキュメント
ピックアップ
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| 分類 | タイトル | 日時 |
| データシート | PDF 1.31 MB | |
| 技術概要 | PDF 356 KB | |
| カタログ | PDF 5.02 MB | |
| アプリケーションノート | PDF 617 KB | |
| ホワイトペーパー | PDF 533 KB | |
| アプリケーションノート | PDF 338 KB | |
6件
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設計・開発
ボード＆キット
モデル
ECADモデル
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