耐放射線GaN FETドライバ

近年、宇宙市場は効率性の高いパワーマネジメントソリューションに向けて進んでいます。 その推進力の1つに、窒化ガリウム（GaN）FETの使用があります。 GaN FETは高い電力変換効率を持ち、放射線への耐性が高く、その性質から広バンドギャップ半導体となっています。 ルネサスは、それらの電源システムでGaN FETが効率的に使用される、耐放射線ローサイドGaN FETドライバを開発してきました。 このプラスチックパッケージの耐放射線GaN FETドライバは、小型衛星（SmallSat）や打ち上げロケットでのDC/DC電源に使用されます。