概要
説明
The R1RW0408DI is a 4-Mbit High-Speed static RAM organized 512-kword × 8-bit. It has realized High-Speed access time by employing CMOS process (6-transistor memory cell) and High-Speed circuit designing technology. It is most appropriate for the application which requires High-Speed, high density memory and wide bit width configuration, such as cache and buffer memory in system. The R1RW0408DI is packaged in 400-mil 36-pin SOJ for high density surface mounting.
製品比較
アプリケーション
ドキュメント
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分類 | タイトル | 日時 |
データシート | PDF 392 KB 英語 | |
ガイド | PDF 292 KB 英語 | |
ガイド | PDF 568 KB 英語 | |
ガイド | PDF 1.31 MB 英語 | |
製品別信頼性資料 | PDF 202 KB | |
製品変更通知 | PDF 1.37 MB 英語 | |
製品変更通知 | PDF 1.54 MB 英語 | |
パッケージ外形図 | PDF 21 KB | |
8件
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設計・開発
モデル
ECADモデル
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