概要

説明

The N0602N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特長

  • Low on-state resistance
    RDS(on) = 4.6 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A)
  • Low input capacitance
    Ciss = 7730 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V)
  • High current
    ID(DC) = ±100 A
  • RoHS Compliant

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 485 KB
カタログ PDF 11.78 MB 英語 , 简体中文
アプリケーションノート PDF 2.65 MB 英語
アプリケーションノート PDF 633 KB 英語
ガイド PDF 596 KB
5件

設計・開発

モデル