概要
説明
TP65H70G4PS 650V 72mΩ窒化ガリウム(GaN)FETは、Gen IVプラットフォームを使用して構築されたノーマリオフデバイスです。 最先端の高電圧GaN HEMT技術と低電圧シリコンMOSFET技術を組み合わせ、優れた信頼性と性能を提供します。
ルネサスのGaNパワー製品は、ゲート電荷の低減、クロスオーバー損失の低減、逆回復電荷の低減により、シリコンよりも効率が向上します。
このTP65H070G4PSは、業界標準のTO-220で提供され、共通のソースパッケージ構成を採用しています。
特長
- JEDEC認定のGaN技術
- ダイナミックRDS(on)eff 生産テスト済み
- ロバスト設計、以下によって定義されます。
- 固有の寿命テスト
- 広いゲート安全マージン
- 過渡過電圧機能
- 非常に低いQRR
- クロスオーバー損失の低減
- AC-DCおよびDC-DC設計が可能
- 電力密度の向上
- システムのサイズと重量の低減
- 全体的なシステムコストの削減
- ハードスイッチ回路とソフトスイッチ回路の両方で効率を向上
- 一般的に使用されるゲートドライバーで簡単に駆動できます
- RoHS準拠およびハロゲンフリーのパッケージ
製品比較
アプリケーション
- データコム
- 幅広い産業
- PVインバーター
- サーボ モーター
- コンピューティング
- 民生
ドキュメント
ピックアップ
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| 分類 | タイトル | 日時 |
| データシート | PDF 918 KB | |
| アプリケーションノート | PDF 372 KB | |
| アプリケーションノート | PDF 639 KB | |
| アプリケーションノート | PDF 676 KB | |
| ガイド | PDF 225 KB | |
| ガイド | PDF 273 KB | |
| ガイド | PDF 391 KB | |
7件
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設計・開発
Processing table
| TO-220 | Tube | 1 | Through Hole | -55 to +150°C |
Tips for Using This Parametric Table:
- Hide Filters button in header: Collapse or expands filters
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- Full Screen button in header: Expand the table to full screen view (user must close out of full screen before they can interact with rest of page)
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- Filter parts search bar in header: Type to filter table results by part number
- Hide column button in column headers: Select to hide columns in table
- AND / OR toggle switches in header: Toggles the logic of this particular filter to be “AND” or “OR” logic for filtering results
- Multiselect checkboxes at beginning of each row in table: Select these checkboxes to compare products against each other
- Document icon next to product name in row: View the featured document for this product
- Chip icon next to the right of the document icon in row: View the block diagram for this product
- Cart icon to the right of the chip icon: Indicates that samples are available for this product