概要

説明

TP65H70G4PS 650V 72mΩ窒化ガリウム(GaN)FETは、Gen IVプラットフォームを使用して構築されたノーマリオフデバイスです。 最先端の高電圧GaN HEMT技術と低電圧シリコンMOSFET技術を組み合わせ、優れた信頼性と性能を提供します。

ルネサスのGaNパワー製品は、ゲート電荷の低減、クロスオーバー損失の低減、逆回復電荷の低減により、シリコンよりも効率が向上します。

このTP65H070G4PSは、業界標準のTO-220で提供され、共通のソースパッケージ構成を採用しています。

特長

  • JEDEC認定のGaN技術
  • ダイナミックRDS(on)eff 生産テスト済み
  • ロバスト設計、以下によって定義されます。
    • 固有の寿命テスト
    • 広いゲート安全マージン
    • 過渡過電圧機能
  • 非常に低いQRR
  • クロスオーバー損失の低減
  • AC-DCおよびDC-DC設計が可能
    • 電力密度の向上
    • システムのサイズと重量の低減
    • 全体的なシステムコストの削減
  • ハードスイッチ回路とソフトスイッチ回路の両方で効率を向上
  • 一般的に使用されるゲートドライバーで簡単に駆動できます
  • RoHS準拠およびハロゲンフリーのパッケージ

製品比較

アプリケーション

アプリケーション

  • データコム
  • 幅広い産業
  • PVインバーター
  • サーボ モーター
  • コンピューティング
  • 民生

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 918 KB
1件

設計・開発

ソフトウェア/ツール

モデル