ISL71441M GaN FET Half-Bridge Driver Evaluation Board
The ISL71441MEV1Z evaluation board features the ISL71441M 12V GaN FET half-bridge driver.
The ISL71441M is a radiation tolerant PWM input 12V half-bridge GaN FET...
主要ドキュメント:
概要
説明
ISL71441SLHは、耐放射線強化を施したPWM入力12VハーフブリッジGaN FETドライバであり、DC/DCスイッチング・レギュレータ用の低いRDS（ON）ガリウムナイトライド（GaN）FETを駆動します。統合されたプログラマブルGaNFETゲートドライブ電圧、ハイサイドのブートストラップスイッチ、および強力なゲートドライブ電流により、小型で堅牢なGaN FETハーフブリッジドライバを実現します。
ISL71441SLHは、ISL73847SLHデュアルフェーズPWM降圧コントローラののGaN FETドライバとして使用でき、最新の低電圧・大電流FPGAやDSPデジタルコア電源などに対応する高効率のポイントオブロード（POL）レギュレータを構成することができます。
特長
- ルネサス認定耐放射線プラスチック製品およびQCIフロー（R34ZZ0006EU）
- すべてのスクリーニングおよびQCIはSAE AS6294/1に準拠
- 最大20Vのブートストラップ電圧ハーフブリッジドライバ
- プログラム可能なゲートドライブ電圧：4.5V～5.5V
- 単一の3レベルPWM入力制御
- 個別のソースドライバとシンクドライバの出力
- ハイサイドピークドライブ：2Aソース、4Aシンク
- ローサイドピークドライブ：4Aソース、8Aシンク
- ハイサイドおよびローサイドのプログラム可能なデッドタイム
- 高度にマッチの高速伝搬遅延：29ns
- 完全な軍用温度での運用：TA = -55℃～125℃の周囲温度範囲
- 20Ldプラスチック 5x5mm QFNパッケージ
- TID Rad Hard Assurance(RHA)試験
- LDR (0.01rad(Si)/s): 75krad(Si)
- SEE特性評価
- LET = 86MeV•cm2/mgの条件下では、VDD = 20V、PHS = 13.5V、PVCC = 6.5V、AVCC = 6.3VでDSEEなし
- LET = 86MeV•cm2/mgの条件下では、SEFI <10µm2
- LET = 86MeV•cm2/mgの条件下では、ハーフブリッジのシュートスルーなし
製品比較
アプリケーション
- FPGAおよびDSPの電源レールに最適な大電流DC/DCポイントオブロード（POL）
- 5Vまたは12V入力から1V出力ポイントオブロード（POL）レギュレーション
- GaN FETモータドライバ
- ISL73847SLH DC/DC PWMコントローラとルネサス製GaN FETを組み合わせることで、完全なDC/DCソリューションを実現
ドキュメント
ピックアップ
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| 分類 | タイトル | 日時 |
| データシート | PDF 1.43 MB | |
| レポート | PDF 5.95 MB | |
| レポート | PDF 567 KB | |
| カタログ | PDF 5.02 MB | |
| 技術概要 | PDF 229 KB | |
| ホワイトペーパー | PDF 533 KB | |
6件
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設計・開発
ソフトウェア／ツール
ボード＆キット
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モデル
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Processing table
| QFN | 20 | Tray | 1 | Yes | Nickel/Palladium/Gold-Silver - e4 | 25 | -55 to 125°C |
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