プロダクトセレクタ近年、宇宙市場は効率性の高いパワーマネジメントソリューションに向けて進んでいます。 その推進力の1つに、窒化ガリウム（GaN）FETの使用があります。 GaN FETは高い電力変換効率を持ち、放射線への耐性が高く、その性質から広バンドギャップ半導体となっています。 ルネサスは、それらの電源システムでGaN FETが効率的に使用される、耐放射線ローサイドGaN FETドライバを開発してきました。 このプラスチックパッケージの耐放射線GaN FETドライバは、小型衛星（SmallSat）や打ち上げロケットでのDC/DC電源に使用されます。
プロダクトセレクタ: 耐放射線GaN FETドライバ
パラメトリック製品セレクタを使用してカタログ上の製品を検索してみてください。パラメータ毎に スペックを比較することでお客様の設計に適した製品が表示されます。
プロダクトセレクタ
ドキュメント
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| 分類 | タイトル | 日時 |
| カタログ | PDF 5.02 MB | |
| ホワイトペーパー | PDF 1.49 MB 英語 | |
| ホワイトペーパー | PDF 405 KB | |
| アプリケーションノート | PDF 338 KB | |
4件
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ビデオ&トレーニング
Radiation-Tolerant Plastic-Package ICs Overview
Learn about Renesas's family of radiation-tolerant plastic-package ICs designed to support the emerging field of small satellites that will provide solutions such as high-speed Internet connections to hundreds of millions of users in communities, governments, and businesses worldwide. These ICs deliver rad-tolerance performance at a much lower cost point versus radiation assurance tested Class V (space level) products.
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| ニュース | 2023年7月19日 |
