RAJ240045DNP

• 電池容量測定とプログラマブル保護機能を備えたバッテリ管理ソリューション
• 2〜4直列リチウムイオンまたはリチウムポリマバッテリセルをサポート
• ルネサス超低消費電力CPUコア「RL78」を搭載し、マルチ機能プロセスに対応。
• メモリ
  • コードフラッシュメモリ：64KB
  • データフラッシュメモリ（最大10万回の消去／書き込み可能）: 4KB
  • SRAM: 4 KB
• クロック・ジェネレータ
  • 高速オンチップ・オシレータ：最大32MHz
  • 低速オンチップ・オシレータ：15KHz
  • アナログ・フロントエンド (AFE) オンチップオシレータ：4.194MHz
• 汎用入出力ポート
  • 合計：12ピン
  • CMOS入力/出力：6
  • CMOS入力：2
  • Nchオープンドレイン：2
  • 高電圧入力[VCC公差]：1
  • 高電圧出力 [VCC公差]：1
• シリアルインタフェース
  • CSI（SPI）：1チャネル
  • I²C: 1チャネル
  • UART：1チャネル
  • 簡易I²C：1チャネル
• タイマ
  • MCU 16ビットタイマ：5チャネル
  • MCU 12ビットインターバルタイマ：1チャネル
  • アナログ・フロントエンド (AFE)タイマ：2チャネル
    • アナログ・フロントエンド (AFE)タイマA：設定範囲: 125 ms～64 s
    • アナログ・フロントエンド (AFE)タイマB：設定範囲：30.52us～125ms
• 組込型A/Dコンバータ
  • アナログ・フロントエンド(AFE) 15ビット分解能シグマデルタA/Dコンバータ
• 電流積分回路
  • 18ビット分解能シグマデルタA/Dコンバータ
• インピーダンス測定回路
  • バッテリの電圧・電流を同時測定
• 過電流検出回路
  • 短絡電流検出
  • 充電過電流検出
  • 放電過電流検出
  • 充電覚醒電流検出
  • 放電覚醒電流検出
• シリーズレギュレータ
  • 3.3V CREG2
  • 1.8V CREG1
• MOSFETの充放電制御
  • ハイサイドNch MOSFET駆動回路内蔵
  • 8ビットPWMによるプログラマブルMOSFET制御
• ヒューズ制御
  • FUSEOUTピンは、ヒューズブロー機能に対応
• インテル®ダイナミック・バッテリパワーテクノロジ（インテル® DBPT）対応^*注
• 電圧および温度条件
  • 電源電圧：VCC = 4.0～25 V
  • 動作周囲温度：Ta = -20～+85°C
• パッケージ情報
  • 32ピン プラスチックモールド QFN（[Body] 4.0 mm x 4.0 mm、0.4 mm ピッチ)

*注: Intel および Intel ロゴは、アメリカ合衆国およびその他の国における Intel Corporation またはその子会社の商標または登録商標です。