GaNデバイスと技術の追加により、ルネサスの電源ポートフォリオを変革。
今日の電力システムでは、従来のシリコンベースのデバイスよりも高速なスイッチング周波数で電圧範囲を拡大する必要がある多くのアプリケーションにおいて、より高い効率と電力密度がますます求められています。 ワイドバンドギャップ・デバイスは著しい成長を遂げるだけでなく、今日の複雑な電力システムの需要に対応できる独自の地位を確立しています。
Transphorm社のGaN技術とデバイスがルネサスの電源ポートフォリオに加わったことで、ルネサストは戦略的に、業界で最も包括的な企業として、顧客に幅広いサービスを提供できるようになりました。 ルネサスの既存のディスクリートポートフォリオは、IGBT、SiC、SiパワーFETで構成されてきました。さらにGaNデバイスが追加されたことで、システム設計の柔軟性を最大限に高めます。 Transphorm社のGaN技術は、独自の差別化されたワンコアプラットフォームの垂直統合モデルに基づいており、今日の市場で最も幅広い電力アプリケーション製品において、最大範囲の電力変換要件（45W～10kW以上）をサポートしています。 独自のウェハプロセスで動作するため、競合するGaN製品と比べて損失／性能が25％向上しており、これも重要な利点です。 epi材料からパッケージング、アプリケーションに至るまで、GaNのバリューチェーン全体を網羅する1000件以上の特許にアクセスできる業界をリードするIPは、差別化と顧客イノベーションをさらに促進します。
ルネサスの幅広いパワーマネジメントソリューションは 、最先端のGaN製品と垂直統合型ウェハ製造を含む完全なワイドバンドギャップ製品、そして包括的なソリューションのための業界最高のコントローラおよびドライバICを組み合わせることにより、自動車、産業、再生可能エネルギー、民生分野でのお客様の高まるニーズに対応します。
